Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
polycrystalline silicon-gate MOS structure — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon-gate MOS — MOP darinys su silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS; silicon gate MOS structure vok. Siliziumgate MOS Struktur, f rus. МОП структура с кремниевыми затворами, f pranc. structure MOS à grilles de… … Radioelektronikos terminų žodynas
polycrystalline silicon-gate MOS — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
isolated silicon-gate CMOS structure — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit … Radioelektronikos terminų žodynas
Poly-Si-Gate-MOS-Struktur — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
Polysilizium-Gate-MOS-Struktur — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
isolated silicon-gate CMOS — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à grille de polysilicium — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à grilles de silicium — MOP darinys su silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS; silicon gate MOS structure vok. Siliziumgate MOS Struktur, f rus. МОП структура с кремниевыми затворами, f pranc. structure MOS à grilles de… … Radioelektronikos terminų žodynas
Siliziumgate-MOS-Struktur — MOP darinys su silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS; silicon gate MOS structure vok. Siliziumgate MOS Struktur, f rus. МОП структура с кремниевыми затворами, f pranc. structure MOS à grilles de… … Radioelektronikos terminų žodynas
